Reactive sputtering deposition of SiO2 thin films
Депоновање танких слојева sio2 методом реактивног јонског распрашивања
Чланак у часопису (Објављена верзија)
Метаподаци
Приказ свих података о документуАпстракт
SiO2 layers were deposited in a UHV chamber by 1 keV Ar+ ion sputtering from a high purity silicon target, using different values of the oxygen partial pressure (5 x 10(-6)-2 x 10(-4) mbar) and of the ion beam Current on the target (1.67-6.85 mA). The argon partial pressure during operation of the ion gun was 1x10(-3) mbar. The Substrate temperature was held at 550 degrees C and the films were deposited to a thickness of 12.5-150 nm, at a rate from 0.0018-0.035 nm s(-1). Structural characterization of the deposited thin films was performed by Rutherford backscattering spectrometry (RBS analysis). Reactive sputtering was proved to be efficient for the deposition of silica at 550 degrees C, an oxygen partial pressure of 2 x 10(-4) mbar (ion beam Current on the target of 5 mA) or, at a lower deposition rate, ion beam current of 1.67 mA and an oxygen partial pressure of 6 x 10(-5) mbar. One aspect of these investigations was to Study the consumption of oxygen from the gas cylinder, which w...as found to be lower for higher deposition rates.
Танки слојеви SiO2 депоновани су методом реактивног јонског распрашивања, при различитим вредностима парцијалног притиска кисеоника (5×10-6–2×10-4 mbar) и при различитим вредностима струје на мети (1,67–6,85 mA). За распрашивање мете од силицијума коришћен је јонски сноп аргона, енергије 1 keV. Парцијални притисак аргона, при свим депоновањима, износио је 1×10-3 mbar. Температура подлоге, при свим депоновањима, износила је 550 °C. Дебљина депонованих слојева кретала се у интервалу од 12,5 до 150 nm, а брзина депоновања у интервалу од 0,0018 до 0,035 nm s-1. Структурна карактеризација слојева извршена је спектрометријом Радерфордовог повратног расејања (RBS анализа). Показано је да се танки слојеви SiO2 могу добити методом реактивног јонског распрашивања при вредности парцијалног притиска кисеоника 2×10-4 mbar (струја на мети 5 mA) и 6×10-5 mbar (струја на мети 1,67 mA). Један од циљева истраживања био је испитивање потрошње кисеоника при депоновању и нађено је да је она мања при већим ...брзинама депоновања.
Кључне речи:
SiO2 / thin films / reactive sputtering / RBS analysisИзвор:
Journal of the Serbian Chemical Society, 2008, 73, 1, 121-126
DOI: 10.2298/JSC0801121R
ISSN: 0352-5139
WoS: 000253097300012
Scopus: 2-s2.0-39449126149
Колекције
Институција/група
VinčaTY - JOUR AU - Radović, Ivan AU - Serruys, Yves AU - Limoge, Yves AU - Bibić, Nataša M. PY - 2008 UR - https://vinar.vin.bg.ac.rs/handle/123456789/3361 AB - SiO2 layers were deposited in a UHV chamber by 1 keV Ar+ ion sputtering from a high purity silicon target, using different values of the oxygen partial pressure (5 x 10(-6)-2 x 10(-4) mbar) and of the ion beam Current on the target (1.67-6.85 mA). The argon partial pressure during operation of the ion gun was 1x10(-3) mbar. The Substrate temperature was held at 550 degrees C and the films were deposited to a thickness of 12.5-150 nm, at a rate from 0.0018-0.035 nm s(-1). Structural characterization of the deposited thin films was performed by Rutherford backscattering spectrometry (RBS analysis). Reactive sputtering was proved to be efficient for the deposition of silica at 550 degrees C, an oxygen partial pressure of 2 x 10(-4) mbar (ion beam Current on the target of 5 mA) or, at a lower deposition rate, ion beam current of 1.67 mA and an oxygen partial pressure of 6 x 10(-5) mbar. One aspect of these investigations was to Study the consumption of oxygen from the gas cylinder, which was found to be lower for higher deposition rates. AB - Танки слојеви SiO2 депоновани су методом реактивног јонског распрашивања, при различитим вредностима парцијалног притиска кисеоника (5×10-6–2×10-4 mbar) и при различитим вредностима струје на мети (1,67–6,85 mA). За распрашивање мете од силицијума коришћен је јонски сноп аргона, енергије 1 keV. Парцијални притисак аргона, при свим депоновањима, износио је 1×10-3 mbar. Температура подлоге, при свим депоновањима, износила је 550 °C. Дебљина депонованих слојева кретала се у интервалу од 12,5 до 150 nm, а брзина депоновања у интервалу од 0,0018 до 0,035 nm s-1. Структурна карактеризација слојева извршена је спектрометријом Радерфордовог повратног расејања (RBS анализа). Показано је да се танки слојеви SiO2 могу добити методом реактивног јонског распрашивања при вредности парцијалног притиска кисеоника 2×10-4 mbar (струја на мети 5 mA) и 6×10-5 mbar (струја на мети 1,67 mA). Један од циљева истраживања био је испитивање потрошње кисеоника при депоновању и нађено је да је она мања при већим брзинама депоновања. T2 - Journal of the Serbian Chemical Society T1 - Reactive sputtering deposition of SiO2 thin films T1 - Депоновање танких слојева sio2 методом реактивног јонског распрашивања VL - 73 IS - 1 SP - 121 EP - 126 DO - 10.2298/JSC0801121R ER -
@article{ author = "Radović, Ivan and Serruys, Yves and Limoge, Yves and Bibić, Nataša M.", year = "2008", abstract = "SiO2 layers were deposited in a UHV chamber by 1 keV Ar+ ion sputtering from a high purity silicon target, using different values of the oxygen partial pressure (5 x 10(-6)-2 x 10(-4) mbar) and of the ion beam Current on the target (1.67-6.85 mA). The argon partial pressure during operation of the ion gun was 1x10(-3) mbar. The Substrate temperature was held at 550 degrees C and the films were deposited to a thickness of 12.5-150 nm, at a rate from 0.0018-0.035 nm s(-1). Structural characterization of the deposited thin films was performed by Rutherford backscattering spectrometry (RBS analysis). Reactive sputtering was proved to be efficient for the deposition of silica at 550 degrees C, an oxygen partial pressure of 2 x 10(-4) mbar (ion beam Current on the target of 5 mA) or, at a lower deposition rate, ion beam current of 1.67 mA and an oxygen partial pressure of 6 x 10(-5) mbar. One aspect of these investigations was to Study the consumption of oxygen from the gas cylinder, which was found to be lower for higher deposition rates., Танки слојеви SiO2 депоновани су методом реактивног јонског распрашивања, при различитим вредностима парцијалног притиска кисеоника (5×10-6–2×10-4 mbar) и при различитим вредностима струје на мети (1,67–6,85 mA). За распрашивање мете од силицијума коришћен је јонски сноп аргона, енергије 1 keV. Парцијални притисак аргона, при свим депоновањима, износио је 1×10-3 mbar. Температура подлоге, при свим депоновањима, износила је 550 °C. Дебљина депонованих слојева кретала се у интервалу од 12,5 до 150 nm, а брзина депоновања у интервалу од 0,0018 до 0,035 nm s-1. Структурна карактеризација слојева извршена је спектрометријом Радерфордовог повратног расејања (RBS анализа). Показано је да се танки слојеви SiO2 могу добити методом реактивног јонског распрашивања при вредности парцијалног притиска кисеоника 2×10-4 mbar (струја на мети 5 mA) и 6×10-5 mbar (струја на мети 1,67 mA). Један од циљева истраживања био је испитивање потрошње кисеоника при депоновању и нађено је да је она мања при већим брзинама депоновања.", journal = "Journal of the Serbian Chemical Society", title = "Reactive sputtering deposition of SiO2 thin films, Депоновање танких слојева sio2 методом реактивног јонског распрашивања", volume = "73", number = "1", pages = "121-126", doi = "10.2298/JSC0801121R" }
Radović, I., Serruys, Y., Limoge, Y.,& Bibić, N. M.. (2008). Reactive sputtering deposition of SiO2 thin films. in Journal of the Serbian Chemical Society, 73(1), 121-126. https://doi.org/10.2298/JSC0801121R
Radović I, Serruys Y, Limoge Y, Bibić NM. Reactive sputtering deposition of SiO2 thin films. in Journal of the Serbian Chemical Society. 2008;73(1):121-126. doi:10.2298/JSC0801121R .
Radović, Ivan, Serruys, Yves, Limoge, Yves, Bibić, Nataša M., "Reactive sputtering deposition of SiO2 thin films" in Journal of the Serbian Chemical Society, 73, no. 1 (2008):121-126, https://doi.org/10.2298/JSC0801121R . .